В Китае произвели мощный чип с пластиной из алмаза для высокотехнологичного оружия, сообщает гонконгская South China Morning Post. Если данные чипы, также известные как полупроводники четвертого поколения, получат широкое распространение, они могли бы расширить возможности НОАК в радиоэлектронной борьбе.
Ученые использовали искусственно выращенные алмазы в качестве пластины для изготовления полупроводникового устройства на основе нитрида галлия, что повысило эффективность системы на 30%. Исследователи применили новый инженерный подход, который позволяет вырастить искусственные алмазы на поверхности нитрида галлия, избежав при этом образования примесей графита в алмазе.
Ранее сообщалось, что японские инженеры изобрели полупроводник из алмазов, который работает на мощности 875 мегаватт на 1 квадратный сантиметр (это 875000 кВт). Технологию назвали предпоследней, так как самый мощный чип основан на нитриде галлия. Его мощность достигает 2090 мегаватт на квадратный сантиметр.
Несмотря на это, у алмазного полупроводника есть ряд преимуществ. Во-первых, он обладает отличной степенью сопротивления напряжению. Во-вторых, чипы на алмазах практически не изнашиваются и не теряют в мощности спустя время использования.
Третья особенность: алмазные полупроводники не боятся радиации и перепадов температур. Так, алмазные технологии используют в спутниках и космических кораблях, где есть большие скачки температур.
Эксперты пояснили, что мощные алмазные чипы можно использовать в технике, которая будет находиться в экстремальных условиях. Например, в космосе, на жаркой планете или на орбите звезды. Также применять алмазные полупроводники можно на металлургических производствах.