Южнокорейские ученые из Пхоханского университета науки и технологий разработали способ выращивания металлических полупроводников, или транзисторов размерами менее одного нанометра. Исследование опубликовано в научном журнале Nature Nanotechnology (NatNano).
В обычных процессах изготовления полупроводников их невозможно сделать меньше нескольких нанометров из-за ограничений разрешения литографии.
Для решения этой технической проблемы команда использовала так называемую двойную зеркальную границу двумерного дисульфида молибдена — одномерную металлическую структуру толщиной в 0,4 нанометра, возникающую между кристаллами материала. Зеркальную границу получили с помощью процесса эпитаксиального наращивания соединения.
«Одномерная металлическая фаза, полученная путем эпитаксиального роста, — это новый материальный процесс, который может быть применен для создания сверхминиатюрных транзисторов. Ожидается, что в будущем она станет ключевой технологией для разработки различных маломощных высокопроизводительных электронных устройств», — отметил руководитель исследования, Чо Мунхо.